MILLIMETERWAVE
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Description pas à pas de la réalisation d’un
amplificateur
En construction
Amplificateur de conception F6BVA [1]
PCB distribué par F5BQP
Les GaAsFet prévus
FLK202MH-14
de chez FUJITSU
FLM1414-
TIM0910-15L
de chez TOSHIBA
Les data sheets
FLK202MH-14 FLM1414-4C TIM0910-15L
Le boitier
Récupération de profilés ALU
Profilé
en U de 100 x 50 épaisseur
(
Cornière
de 30 x
Plaque
de 1mm d’épaisseur
Découpe
Après une
petite heure de traçage et de scie à métaux…
Profilé
coupé à
Cornière
L =
Finiton à la lime
Préparation fixation CI
Traçage – perçage
Etape 1 du taraudage
M2 pour le
capot et M2,5 pour le CI et les régulateurs
Pré-montage
Les
cornières ont été préparées avec des oblongs de fixation
Adaptation au GaAs Fet
Dimensions entre
les bases des Fets et les broches gate et source
FLK202MH-14
:
FLM1414-
TIM0910-15L
:
Avec un
substrat de 0,6mm , le gap à récupérer est
de :
FLK202MH-14
:
FLM1414-
TIM0910-15L
:
Deux plaques de
laiton de 10/10ème seront utilisées
Plaques laiton découpées et percées pour les Fets
Perçage
et découpe
Plaques
terminées
Montage
Vis
M1,6 pour le FLK , M2 pour le FLM et M2,5 pour le TIM
Montage SMA et By pass
SMA 2 trous car la hauteur ( 5mm Alu +
est un peu juste
pour une SMA 4 trous - Perçage 4,1mm + 2 x M2
modèle 1201 054 ( 10A)
L’ensemble mécanique terminé
Montage composants CMS
Préparation boîtier
Montage en boîtier
Tests DC
-VG
Charge max
LM2662 = 200mA Max
FLK202MH-14 Ig = 4 mA env.
FLM1414-
TIM0910-15L Ig = 25mA env.
Tests :
-V à vide =
-4,80V Avec I = 52mA -V = 4,62 V
Réglage des 3
potentiomètres pour avoir –V max ( -4,8V ) sur les 3 gates
+VD
A vide avec R18
= 1,5 K et R19 = 2,7K // 220 ohms
10,74 V
Premiers essais
en charge :
FLK202MH-14 0,6A
avec charge 10ohms ( 1A sous 10V )
VD =10 ,63
FLM1414-
TIM0910-15L 5,5A
avec charge 1,4 ohms ( 7A sous 10V )
VD =10,25
En mettant une
résistance de 27 K en // avec R18
VD1 = 10,16V ,
VD2 = 10,06V , VD3 = 9,76V
A suivre…
Références :
[1] F6BVA
[2]
LM2662
Dernière mise à jour le 21/09/2013
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